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                【聚焦“雙一流”】我校“雙一流”建設“電子∏材料與器件集成”學科領∑域再添新成果

                發布時間:2020-08-11

                本網訊物理與材料科學近期,我校物理與材料科學院何剛教授課題組在鍺基場效應器件界面調控、高遷移率薄膜晶體管構築及邏輯電路應用探索方面取】得系列進展。

                Ge MOSFET中,實現熱力學穩定、無費米能級釘紮的新型高k柵與Ge-MOSFET器件,一直是微電子器件研究領域的前沿課題。何剛教授課題組基於ALD技術構築了不同堆疊次序的Al2O3/HfO2的疊層柵,構築了Ge-MOS原型器件。研究工作將為鍺材料替代矽材料,推動微電子技術進入非矽CMOS時代,繼續延續摩爾定律發展提供了解△決方案。 該成果以Interface Chemistry and Dielectric Optimization of TMA-Passivated high-k/Ge Gate Stacks by ALD-Driven laminated Interlayer為題發表在Applied Materials & Interfaces(https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c02963)。2017級碩士研究生王蝶為該文的第一作者,何剛教授為該論文的通訊作者。

                此外,課題組基於環保的水溶液法制備了新型HfGdOxk柵ζ 介質薄膜構築了低壓驅動的In2O3/HfGdOx TFTs器件,表現出11.2 cm2 V-1 s-1的◇遷移率及4.1×106的開關比,並基於構建了可用於邏輯電路的低壓操作的反相器,其表現出高增益及良好的︽全擺幅特性在此基礎上,課題組利¤用Ca摻雜實現對溝道層氧化銦氧空位的有效調控,成功構築InCaOx/HfGdOx 薄膜晶體管▅和高增益的反相器,足以驅動集成電路中的信號持續傳播此項工作對①低溫構築低能耗柔性場效應器件的發展具有重要的指導意義和科學價值。研究成果分別以Eco-Friendly Fully Water-Driven HfGdOx Gate Dielectrics and Its Application in Thin Film Transistors and Logic Circuits” 和Performance Modulation in All-Solution-Driven InGaOx/HfGdOx Thin film Transistors and Exploration in Low-Voltage-Operated Logic Circuits為題發表在微電子器卐件領域頂尖期刊IEEE Transactions on Electron Devices (DOI:10.1109/TED.2019.2963224; DOI:10.1109/TED.2020.3012592)

                上述研究工作得到了國※家自然科學基金及校內開放基金專項資金的經費支持,為學校“雙一流”建設主學︾科方向“電子材料與器件集成”再添新成果。

                  


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